На фоне резкого роста спроса на DRAM, подстёгнутого развитием ИИ-инфраструктуры и масштабными закупками со стороны гиперскейлеров, Intel готовится разыграть собственную карту на рынке памяти. Компания работает над запуском нового стандарта совместно с Saimemory — дочерней структурой SoftBank.
По данным источников, партнёры развивают технологию Z-Angle Memory (ZAM), которая рассматривается как альтернатива традиционным решениям наподобие HBM. Проект берёт начало в рамках программы Advanced Memory Technology (AMT) Министерства энергетики США, где Intel ранее демонстрировала эксперименты с DRAM-бондингом нового поколения. SoftBank пока не раскрывает, в каком именно сегменте будет продвигаться ZAM, однако сама архитектура указывает на попытку переосмыслить принципы построения высокоплотной памяти.
В основе ZAM лежит концепция «Z-углового» соединения слоёв. В отличие от классических вертикальных межсоединений, новая схема использует диагональную маршрутизацию внутри стека кристаллов. Такой подход позволяет эффективнее распределять площадь кремния под ячейки памяти, повышать плотность размещения и одновременно снижать тепловую нагрузку — один из ключевых ограничивающих факторов для современных высокопроизводительных модулей памяти.
источник
уникальность
Реклама: 🔥 Хочешь получить Telegram Premium и стать гуру Polymarket? Кликай сюда!
