Сообщения о достижении исследователей из imec и Гентского университета, вырастивших 120 чередующихся слоев кремния (Si) и кремний-германия (SiGe) на 300-миллиметровой подложке, требуют критического анализа. Утверждается, что это шаг к созданию трехмерной DRAM, но без детальных данных о характеристиках структуры и ее применении выводы остаются спекулятивными. Сравнение с построением башни из тонких, склонных к деформации листов материала звучит эффектно, но не раскрывает технической сложности и практической значимости.
Ключевая проблема — несовпадение кристаллических решеток Si и SiGe, вызывающее напряжения в слоях. Это может привести к дефектам, известным как дислокации несоответствия, которые снижают производительность чипов. Исследователи якобы решили проблему, регулируя содержание германия в SiGe, добавляя углерод для снятия напряжений и поддерживая равномерную температуру при осаждении. Однако без публикации точных параметров — например, процентного содержания германия или углерода, а также данных о допустимых отклонениях температуры — сложно оценить воспроизводимость и надежность метода.
Процесс эпитаксиального осаждения, описанный как «рисование газами» (силаном и германом), подразумевает высокую точность контроля толщины и состава слоев. Утверждается, что даже малейшие отклонения могут вызвать дефекты, но отсутствуют количественные данные о допустимых погрешностях или частоте дефектов в полученной структуре. Это ограничивает возможность независимой проверки.
Цель — создание 3D DRAM для увеличения плотности памяти без роста площади чипа — звучит многообещающе, но нет доказательств, что 120 бислоев достаточно для коммерческого применения. Сравнение с «нанонебоскрёбом» эффектно, но не подтверждает стабильность или масштабируемость структуры. Упоминания о применении в 3D-транзисторах, квантовых вычислениях или GAAFET/CFET-технологиях также спекулятивны без конкретных данных о совместимости.
Упоминание интереса Samsung к 3D DRAM и их исследовательского центра не подкреплено ссылками на конкретные результаты. Без открытой публикации данных о характеристиках, тестировании или сравнении с существующими технологиями выводы о значимости работы остаются под вопросом. Требуется больше прозрачности, чтобы считать это прорывом, а не промежуточным результатом.
Оригинал
Уникальность
