В 2015 году американский IT-гигант IBM анонсировал первые в мире 7-нм чипы с 20 миллиардами транзисторов. Во многом своему достижению корпорация была обязана компаниям GlobalFounries и Samsung, с которыми вела тесное сотрудничество. Спустя два года IBM вместе с прежней и уже проверенной временем командой возвращается с новым анонсом: разработчики объявили о создании первых рабочих образцов 5-нм процессоров.
В отличие от 7-нм предшественников, включающих 20 миллиардов транзисторов, 5-нм микропроцессоры размером с ноготь могут похвастать уже 30 миллиардами транзисторов. Корпорации удалось увеличить плотность их размещения, а вместе с тем и повысить скорость прохождения сигнала между транзисторами. Согласно данным, в сравнении с 10-нм чипами 5-нм решения на 40% производительнее и на 75% энергоэффективнее. Между тем напомним, что в апреле текущего года компания Samsung сообщила о готовности к старту массового производства 10-нм чипов второго поколения Low Power Plus.
IBM сообщила что использовала новый тип транзисторов, которые были объединены в кремниевые нанолисты, что и позволило достичь подобной плотности. Эти транзисторы посылают электроны через четыре затвора, тогда как FinFET-транзисторы ограничиваются тремя. Стоит отметить, что технология FinFET, появившаяся в 22-нм и 14-нм чипах, будет применяться и в отношении 7-нм решений.
Ожидается, что выход 5-нм чипов на рынок состоится не ранее 2020 года.
Источник.
