Пока весь рынок следил за назначением Лип-Бу Тана на пост генерального директора Intel, на этой неделе в компании произошло еще одно важное событие: Первые пластины 18A (класс 1,8 нм) начали выпускаться на фабрике Intel в Аризоне. Фабрики Intel Fab 52 и Fab 62 в Аризоне - это предприятия крупносерийного производства, поэтому запуск там фабрики 18A является важной вехой для компании.
«Захватывающая веха для Intel 18A», - написал Панкадж Марриа, инженерный менеджер Intel, в сообщении на LinkedIn, которое в итоге было скрыто, но запечатлено @Mojo_flyin на X. »Горжусь тем, что являюсь частью команды Eagle, ведущей к воплощению технологии Intel 18A в жизнь! Наша команда была в авангарде запуска первых партий прямо здесь, в Аризоне, что стало ключевым шагом в развитии передового полупроводникового производства».
До недавнего времени Intel обрабатывала пластины по технологии 18A на своей производственной площадке недалеко от Хиллсборо, штат Орегон, где разрабатывались новые производственные процессы. Хотя компания может выпускать чипы и в Орегоне, перенос нового производственного процесса на совершенно новую фабрику в Аризоне - действительно важная веха для компании.
Пока что компания выпускает тестовые пластины, чтобы убедиться в успешности переноса производственного процесса, но со временем на заводе начнут выпускать чипы для коммерческих продуктов. Intel собирается начать массовое производство вычислительных чипсетов для своих грядущих процессоров под кодовым названием Panther Lake по технологии 18A в конце этого года. В конечном итоге производственный узел 18A будет использоваться для производства процессоров Xeon 7 под кодовым названием Clearwater Forest для центров обработки данных.
Intel возлагает большие надежды на предстоящий производственный процесс 18A. Технология производства опирается на транзисторы RibbonFET с затворным обходом, которые обещают увеличить производительность и снизить энергопотребление. Кроме того, в ней реализована технология обратной подачи питания, которая призвана обеспечить стабильную подачу питания на требовательные к мощности процессоры и увеличить плотность размещения транзисторов за счет развязки сигнальных и силовых проводов внутри чипа.
Оригинал
Уникальность
