Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции утвердил официальные спецификации Universal Flash Storage 3.0. и карт UFS версии 1.1. Память типа UFS предназначена для мобильных устройств, требующих высокой производительности при малом потреблении энергии. Одним из главных изменений UFS 3.0 по сравнению с UFS 2.1 станет увеличенная вдвое скорость передачи.
Стандарт UFS 3.0 получил поддержку MIPI M-PHY HS-Gear4, благодаря чему достигается вдвое большая скорость передачи (до 11,6 Гбит/с) по сравнению UFS 2.1, где предусмотрена только HS-Gear3. UFS 3.0 также поддерживает большее количество разделов, последние технологии NAND и напряжение питания 2,5 В, что делает такую память ещё более энергоэффективной. Диапазон рабочих температур UFS 3.0 — от -40 °C до +105 °C.
Компания Samsung уже объявила о выходе стандарта UFS 3.0 на рынок в первом квартале этого года.
Источник.
пока вроде только 400ГБ у сандиска.