Спецификация GDDR7 SGRAM поддерживает максимальную скорость передачи данных 48 ГТ/с, но устройства памяти GDDR7 первого поколения могут работать со скоростью передачи данных до 32 ГТс.
Но, похоже, GDDR7 будет развиваться довольно быстро, поскольку на предстоящей Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) и Samsung, и SK hynix планируют рассказать о своих решениях GDDR7 со скоростью передачи данных 42 ГТ/с, согласно расширенной программе мероприятия.
Samsung планирует рассказать о своем устройстве памяти GDDR7 объемом 24 Гб (3 Гб) с различными усовершенствованиями, которое может поддерживать скорость передачи данных до 42,5 ГТ/с, что означает пиковую пропускную способность до 170 Гб/с. Это устройство должно обеспечить ощутимый прирост емкости и производительности по сравнению с существующими продуктами GDDR7. В настоящее время компания выпускает микросхемы памяти GDDR7 объемом 16 Гб (2 Гб), которые могут работать на скорости до 32 ГТ/с, обеспечивая пиковую пропускную способность памяти 128 Гб/с.
В практическом применении чип памяти GDDR7 объемом 24 Гб со скоростью передачи данных 42,5 ГТ/с позволяет производителям графических плат создавать видеокарты с 48 Гб памяти на 512-битном интерфейсе и пиковой пропускной способностью 2,7 ТБ/с.
Чтобы достичь такой высокой скорости передачи данных в своих новых устройствах 24 Гб GDDR7 SGRAM с предсказуемым энергопотреблением и надежностью, Samsung пришлось реализовать такие функции, как распределение тактовой частоты записи (WCK) с низким энергопотреблением для энергоэффективности, оптимизированный по сопротивлению/емкости передатчик с двойным эмфазисом для высокой целостности сигнала, а также улучшенные показатели напряжения и временного запаса для обеспечения максимальной надежности и стабильности работы при высоких нагрузках.
В отличие от Samsung, которая подробно описывает свой чип 24 Гб GDDR7, SK hynix планирует сосредоточиться на своем одностороннем приемнике PAM-3 со скоростью 42 Гбит/с для интерфейсов памяти GDDR7. Ключевой особенностью приемника является односторонняя гибридная эквализация с обратной связью (DFE), которая обеспечивает сохранение целостности сигналов, проходящих через интерфейс памяти, даже в условиях высокого уровня шума, перекрестных помех и межсимвольной интерференции (ISI), которые ожидаются при скорости 42 Гбит/с.
Этот односторонний гибридный DFE на самом деле является ключевой характеристикой, необходимой для надежного достижения высоких скоростей передачи данных, поэтому давайте обсудим его более подробно.
Эквалайзеры с обратной связью (FFE) обычно помогают уменьшить искажения сигнала, вызванные межсимвольной интерференцией, которая возникает, когда прошлые переданные символы интерферируют с текущим символом. Хотя FFE эффективен для устранения линейной ISI (вызванной частотно-зависимыми потерями), он менее эффективен для нелинейной ISI (вызванной отражениями, шумами или перекрестными помехами). Для борьбы с нелинейной ИБС часто требуются дополнительные методы, такие как DFE. Эквалайзеры с обратной связью по решению (DFE) используют обратную связь от ранее декодированных битов (решений) для устранения помех от ранее декодированных сигналов.
Теперь гибридные DFE сочетают FFE и DFE для устранения как линейной, так и нелинейной ISI, обеспечивая тем самым надлежащую целостность сигнала и предсказуемую производительность при высоких скоростях передачи данных.
Ни Samsung, ни SK hynix не сообщили, когда они планируют выпустить память GDDR7 со скоростью передачи данных до 42 ГТ/с. Однако тот факт, что обе компании планируют обсудить этот вопрос на предстоящем мероприятии ISSCC, говорит о том, что они намерены достичь такого уровня производительности в обозримом будущем.
Оригинал
Уникальность
