Компания Samsung еще не представила в розничной продаже полноразмерные твердотельные накопители с интерфейсом PCIe 5.0 - мы не берем в расчет модели 990 Evo и 990 Evo Plus с интерфейсом PCIe 5.0 x2 / PCIe 4.0 x4, - но она уже готовит флэш-память, которая сможет обеспечить работу не только самых быстрых SSD с интерфейсом PCIe 5.0, но и накопителей следующего поколения с интерфейсом PCIe 6.0. Новые 4xx-слойные устройства 3D NAND будут иметь скорость интерфейса 5,6 ГТ/с и будут представлены на предстоящей Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC).
Сверхбыстрая память Samsung 10-го поколения V-NAND поддерживает архитектуру TLC (Tri-Level Cell, или три бита на ячейку) и имеет емкость 1 Тб (128 Гб) на матрицу. Samsung утверждает, что плотность хранения данных в новой 4xx-слойной 3D TLC NAND составляет 28 Гб/мм2. Это лишь немного меньше, чем у 1 Тб 3D QLC V-NAND от Samsung, плотность хранения которой составляет 28,5 Гб/мм2, и на данный момент она является самой плотной энергонезависимой памятью в мире.
Современные чипы NAND обычно имеют либо восемь, либо 16 плашек NAND в упаковке. Это означает, что упаковка из 16 микросхем обеспечит хранение 2 ТБ, а четыре таких упаковки в одностороннем SSD-накопителе позволят хранить 8 ТБ - или до 16 ТБ в двухстороннем накопителе M.2 2280. (Отметим, что Samsung уже давно не создавала новых двухсторонних SSD, предпочитая использовать односторонние конструкции).
Пожалуй, самой важной особенностью V-NAND 10-го поколения от Samsung является скорость интерфейса: 5,6 ГТ/с, что значительно быстрее, чем 3,6 ГТ/с, характерные для памяти YMTC с архитектурой Xtacking. При скорости 5,6 ГТ/с это соответствует примерно 700 МБ/с, что означает, что 10 таких устройств смогут насытить интерфейс PCIe 4.0 x4, а 20 будет достаточно для насыщения сверхбыстрого интерфейса PCIe 5.0 x4.
Именно на нем работают самые быстрые варианты лучших SSD в мире. С учетом возможности установки до 32 матриц в двух пакетах NAND это уже половина пути к достижению максимальной пропускной способности интерфейса PCIe 6.0 x4.
Samsung планирует представить память 10-го поколения V-NAND на выставке ISSCC 2025, и вполне резонно ожидать, что компания начнет серийное производство этой энергонезависимой памяти уже в следующем году. К сожалению, пока неясно, когда новая память попадет в собственные SSD-накопители Samsung.
Как правило, новые решения NAND могут использоваться в различных розничных продуктах, включая USB-накопители, карты памяти, SSD, смартфоны и многое другое. Даже если производство V-NAND 10-го поколения начнется в 2025 году, неизвестно, увидим ли мы эту память в SSD-накопителях Samsung в следующем году.
Оригинал
Уникальность
