Ведущий производитель памяти SK hynix объявил о разработке решения для хранения данных UFS 4.1 на основе 321-слойной флэш-памяти 4D NAND. Ожидается, что сверхплотные чипы NAND, которые будут питать эти микросхемы UFS 4.1, будут поддерживать 512 ГБ и 1 ТБ и появятся в смартфонах в первом квартале 2026 года. Более того, новые чипы NAND, как утверждается, на 15 % тоньше, чем предыдущее поколение, и при этом обеспечивают «лучшую в своем классе производительность последовательного чтения» при низком энергопотреблении. SK hynix заявила, что те же 321-слойные чипы флэш-памяти 4D NAND будут использоваться в твердотельных накопителях для ПК в течение года.
Давайте подробнее остановимся на некоторых преимуществах, которые SK hynix заявляет для новых микросхем UFS 4.1. Что касается производительности, то, по словам южнокорейского производителя памяти, пользователи могут рассчитывать на скорость передачи данных до 4300 МБ/с. С точки зрения энтузиастов ПК, это лучше, чем можно ожидать от лучших твердотельных накопителей PCIe NVMe Gen 3. Однако это ничуть не быстрее, чем собственное решение SK hynix UFS 4.1 текущего поколения, основанное на 238-слойной флэш-памяти 4D NAND.
Однако есть и лучшие новости: SK hynix утверждает, что грядущие микросхемы UFS 4.1 обеспечивают «самое быстрое последовательное чтение для четвертого поколения UFS, а также лучшую в своем классе производительность за счет повышения скорости случайного чтения и записи». Скорость случайного чтения и записи увеличивается на 15 % и 40 % соответственно и может иметь решающее значение для плавной работы в многозадачном режиме. Переходя к заявлениям SK hynix об эффективности, мы видим только одну цифру.
Она гласит, что энергоэффективность повысилась на 7 % по сравнению с предыдущим поколением чипов UFS 4.1, которые используются в таких устройствах, как последний Asus ROG Phone. Переход на 321-слойную флэш-память 4D NAND также означает, что SK hynix UFS 4.1 NAND тоньше, что всегда приветствуется производителями мобильных устройств. В частности, производитель памяти утверждает, что толщина новых микросхем составит 0,85 мм по сравнению с 1,00 мм для UFS 4.1 NAND с 238-слойной флэш-памятью 4D NAND.
SK hynix начала массовое производство первой в мире 321-слойной флэш-памяти NAND еще в ноябре 2024 года. Разработка UFS 4.1 с использованием этих микросхем заняла много времени, и, похоже, до появления твердотельных накопителей для ПК с этой технологией пройдет далеко за 2026 год. Тем временем конкуренты, такие как Samsung, наступают ей на пятки, рассказывая о 400-слойной NAND. Другие игроки, такие как Micron, Kioxia и YMTC, как полагают, еще больше отстают.
Обзор технологических новостей 2025 года был бы неполным без упоминания об искусственном интеллекте, и SK hynix здесь не разочаровывает: восемь шляп, надетых на этот горячо любимый технологический сегмент.
В самом деле, SK hynix заявляет, что ее новейшее решение UFS 4.1 «оптимизировано для искусственного интеллекта на устройствах» и укрепляет свои позиции в качестве «поставщика памяти с полным стеком искусственного интеллекта». По всей видимости, новая NAND «обеспечит стабильную работу искусственного интеллекта на устройствах» и даст продуктам, использующим ее, «технологическое преимущество в области искусственного интеллекта». Твердотельные накопители для ПК с 321-слойной 4D NAND от SK hynix
Новая 321-слойная флэш-память 4D NAND от SK hynix не будет поставляться исключительно производителям мобильных устройств. Президент и директор по развитию компании Ан Хен (Ahn Hyun) заявил, что в течение года будут разработаны твердотельные накопители на базе 321-слойной 4D NAND как для потребителей, так и для центров обработки данных: «Мы на пути к расширению наших позиций в качестве поставщика полнофункциональной памяти AI в области NAND путем создания портфеля продуктов с технологическим преимуществом AI». Мы ожидаем, что эти SSD появятся под собственным брендом компании, а также будут представлены в продуктах таких компаний, как Adata, Kingston и Solidigm.
Оригинал
Уникальность
