На SK AI Summit 2024 генеральный директор SK hynix вышел на сцену и представил первую в отрасли 16-Hi память HBM3E, опередив Samsung и Micron. Поскольку разработка HBM4 идет полным ходом, SK hynix подготовила 16-слойную версию своих предложений HBM3E для обеспечения «технологической стабильности» и намерена предложить образцы уже в следующем году.
Несколько недель назад SK hynix представила 12-Hi вариант своей памяти HBM3E, обеспечив контракты с AMD (MI325X) и Nvidia (Blackwell Ultra). Получив рекордную прибыль в прошлом квартале, SK hynix снова на подъеме: гигант только что объявил о 16-слойном обновлении своей линейки HBM3E, которая может похвастаться емкостью 48 ГБ (3 ГБ на отдельную матрицу) на стек. Такое увеличение плотности позволяет ускорителям ИИ использовать до 384 ГБ памяти HBM3E в 8-стековой конфигурации.
SK hynix заявляет о 18-процентном улучшении качества обучения и 32-процентном увеличении производительности вычислений. Как и 12-Hi аналог, новая 16-Hi HBM3E память использует такие технологии упаковки, как MR-MUF, которая соединяет чипы путем расплавления припоя между ними. SK hynix ожидает, что образцы 16-Hi HBM3E будут готовы к началу 2025 года. Однако эта память может оказаться недолговечной, поскольку чипы Rubin нового поколения от Nvidia, которые будут основаны на HBM4, поступят в массовое производство в конце следующего года.
Это еще не все, ведь компания активно работает над твердотельными накопителями PCIe 6.0, высокоемкими QLC (Quad Level Cell) eSSD, предназначенными для серверов с искусственным интеллектом, и UFS 5.0 для мобильных устройств. Кроме того, для питания будущих ноутбуков и даже карманных компьютеров SK hynix разрабатывает модуль LPCAMM2 и паяную память LPDDR5/6 по 1-нм техпроцессу. О модулях CAMM2 для настольных компьютеров ничего не говорится, так что любителям ПК придется подождать - по крайней мере, до тех пор, пока CAMM2 не получит широкое распространение.
Чтобы преодолеть то, что SK hynix называет «стеной памяти», производитель памяти разрабатывает такие решения, как Processing Near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage. Samsung уже продемонстрировала свою версию PIM - когда данные обрабатываются внутри памяти, так что их не нужно перемещать во внешний процессор.
HBM4 удвоит ширину канала с 1024 до 2048 бит и будет поддерживать до 16 вертикально уложенных плашек DRAM (16-Hi), каждая из которых вмещает до 4 ГБ памяти. Это огромная модернизация из поколения в поколение, которой должно быть достаточно для удовлетворения высоких потребностей в памяти грядущих графических процессоров с искусственным интеллектом.
Samsung планирует начать выпуск HBM4 в конце этого года. С другой стороны, сообщается, что SK hynix уже достигла стадии вывода памяти на рынок еще в октябре. Следуя традиционному жизненному циклу разработки кремния, ожидается, что Nvidia и AMD получат квалификационные образцы в первом/втором квартале следующего года.
Оригинал
УНикальность
