Samsung Electronics достигла значимого успеха, успешно пройдя квалификационные тесты NVIDIA для своих 12-слойных чипов HBM3E, предназначенных для высокопроизводительных ускорителей искусственного интеллекта. Достижение, реализованное спустя 18 месяцев после завершения разработки HBM3E, вызвало рост акций компании более чем на 5%, отражая оптимизм инвесторов относительно её конкурентных позиций.HBM3E: Вхождение в элиту поставщиковСертификация NVIDIA для 12-слойных чипов HBM3E, обеспечивающих пропускную способность 1,2 ТБ/с на стек, позволяет Samsung присоединиться к SK hynix и Micron в качестве поставщика памяти для передовых AI-ускорителей.
Хотя Samsung пока уступает конкурентам, которые уже активно поставляют HBM3E для NVIDIA, ожидается, что её чипы скоро будут использованы в картах NVIDIA DGX B300. Кроме того, Samsung уже поставляет HBM3E для ускорителей AMD Instinct MI350, что демонстрирует её растущее присутствие на рынке.
Массовые поставки для NVIDIA, вероятно, начнутся в 2026 году, так как текущие заказы выполняются преимущественно SK hynix и Micron.Успех Samsung связан с оптимизацией конструкции ядра DRAM, что, по заявлениям компании, решило проблему перегрева. Это позволило HBM3E соответствовать строгим требованиям NVIDIA, хотя конкретные данные о производительности и выходе годных чипов пока не раскрыты.
Тем не менее, сертификация подтверждает способность Samsung конкурировать в сегменте высокоскоростной памяти, где SK hynix ранее лидировала с 12-слойными чипами ёмкостью 36 ГБ, а Micron демонстрировала стабильные показатели выхода годных чипов (75% для 8-слойных и 70% для 12-слойных).HBM4: Перспективы будущегоГонка за следующее поколение памяти, HBM4, уже набирает обороты. HBM4 обещает удвоенную ширину шины (около 2 ТБ/с на стек) и увеличенную ёмкость до 64 ГБ на чип.
Спецификация JEDEC требует скорости 8 Гбит/с на пин, но Samsung, по предварительным данным, достигла 10–11 Гбит/с, что соответствует требованиям NVIDIA и потенциально превосходит показатели SK hynix (10 Гбит/с) и Micron. Переход на 4-нм техпроцесс для базового кристалла HBM4 также обещает снижение энергопотребления на 20–30% по сравнению с 10-нм процессами конкурентов. Samsung планирует начать отправку крупных партий образцов HBM4 для NVIDIA в ближайшее время и запустить массовое производство в первой половине 2026 года.
Хотя SK hynix объявила о завершении разработки HBM4 ранее, в сентябре 2025 года, Samsung активно работает над ранней сертификацией у ведущих производителей AI-чипов, стремясь закрепить свои позиции. Успехи компании в этом направлении подкрепляются её переговорами с ключевыми игроками рынка, что демонстрирует стратегический подход к конкуренции.
Вывод: Уверенный шаг вперёдРост акций Samsung на 5% отражает уверенность рынка в её способности догнать лидеров в сегменте HBM. Сертификация HBM3E для NVIDIA и поставки для AMD MI350 подтверждают прогресс компании, а амбициозные планы по HBM4, включая переход на 4-нм процесс и более высокие скорости передачи данных, указывают на её потенциал стать ключевым игроком. Хотя Samsung пока находится в роли догоняющего, её достижения в оптимизации технологий и расширении клиентской базы демонстрируют, что компания готова к серьёзной конкуренции в эпоху, где память для ИИ определяет будущее отрасли.
Оригинал
Уникальность
