Рост ИИ-инфраструктуры усиливает спрос на высокоёмкие хранилища, что стимулирует разработку NAND-памяти нового поколения.
Однако Samsung столкнулась с трудностями при коммерциализации своей 280-слойной V9 QLC NAND. По данным ZDNet, массовое внедрение отложено как минимум до первой половины 2026 года.
Изначально Samsung начала выпуск V9 TLC NAND (1 Тбит) в апреле 2024 года, а в сентябре — более ёмкой версии V9 QLC. Но первые партии QLC-чипов показали проблемы с производительностью из-за конструктивных недостатков. В результате Samsung остаётся на V7 в сегменте QLC, а V8 QLC так и не вышла.
Тем временем SK hynix завершила разработку 321-слойной QLC NAND ёмкостью 2 Тбит и начала её массовое производство. Новый чип демонстрирует двукратный прирост скорости интерфейса, +56% к записи, +18% к чтению и +23% к энергоэффективности — особенно важно для ЦОД и ИИ-сервисов.
Samsung рискует уступить лидерство, если не ускорит выпуск V9 QLC. В феврале компания анонсировала 400-слойную TLC NAND V10, но сроки её выхода не раскрыты. Kioxia также представила 332-слойную 3D NAND, но пока без готовности к массовому производству.
Источник
Уникальность
