На прошлой неделе на Дне инвестора компания Sandisk рассказала о предстоящих твердотельных накопителях UltraQLC емкостью 1 ПБ (1 петабайт), а также о 3D DRAM, которая, по словам Sandisk, еще не скоро появится (в дорожной карте не указана дата). Твердотельные накопители UltraQLC и 1PB Начнем с платформы UltraQLC, которая в конечном итоге позволит создавать твердотельные накопители емкостью 1 ПБ.
Как следует из названия, UltraQLC - это не тип памяти как таковой, а сочетание 3D NAND BICS 8 QLC от Sandisk, очень продвинутого фирменного контроллера с огромным количеством каналов NAND - 64, и встроенного программного обеспечения. По словам Sandisk, контроллер собственной разработки является центральным элементом UltraQLC, поскольку он включает в себя аппаратные ускорители, специфичные для конкретной области, которые разгружают критически важные функции хранения от встроенного ПО, уменьшая задержки, обеспечивая более высокую пропускную способность и повышая надежность для гипермасштабных систем хранения. Контроллер также динамически масштабирует мощность в зависимости от рабочей нагрузки, обеспечивая оптимальную энергоэффективность.
Кроме того, чип оснащен усовершенствованным мультиплексором шины, который управляет повышенной нагрузкой данных от стеков памяти 3D QLC NAND высокой плотности, обеспечивая полную загрузку канала без снижения производительности. «UltraQLC [создан] на основе нашего многолетнего опыта и текущих знаний, чтобы действительно быть развернутым в современной инфраструктуре данных без ущерба для плотности, производительности и энергоэффективности», - говорит Хуррам Исмаил, будущий руководитель отдела проектирования и управления продуктами Sandisk.
Она действительно построена вокруг этих трех вещей": [...] технология BICS 8 NAND [и будущие NAND тоже], специализированные контроллеры и передовой дизайн системы». На данный момент в SSD UltraQLC используются микросхемы памяти NAND объемом 2 Тб, что позволяет достичь емкости 128 Тб. Технически 64-канальный контроллер может обеспечить большую емкость, но за счет снижения производительности. Но у Sandisk на подходе еще более емкие устройства памяти NAND, так что в ближайшие годы компания планирует выпустить накопители емкостью 256, 512 и, в конечном счете, 1 ПБ. 3D DRAM, не сейчас
Когда речь заходит об искусственном интеллекте и других высокопроизводительных вычислениях, возникает так называемая стена памяти, поскольку для обучения искусственному интеллекту требуется огромный объем памяти. По словам Sandisk, типичное масштабирование DRAM уже не может удовлетворить потребности в обучении ИИ.
Проблема «стены памяти» - увеличивающийся разрыв между тем, что нужно приложениям, и тем, что могут предоставить технологии, - усугубляет проблемы с затратами в области ИИ и вычислений. Большие языковые модели (LLM) растут в 10 раз каждые 1-2 года, что требует огромного увеличения производительности памяти. Именно здесь на помощь приходит Sandisk 3D DRAM. «Работа в этом направлении ведется уже давно, но технологические проблемы были довольно сложными, и сейчас в отрасли нет четкого пути к 3D DRAM, - говорит Альпер Илкбахар, руководитель направления технологий памяти в SanDisk.
Для решения этой проблемы были намечены три потенциальных решения. Первое - инвестиционный подход, предполагающий вложение все больших средств в масштабирование DRAM, несмотря на уменьшающуюся отдачу. Второй - 3D DRAM, попытка вертикального масштабирования DRAM по аналогии с 3D NAND, но значительные технологические проблемы делают этот путь неопределенным.
Третий и наиболее предпочтительный подход - разработка новых технологий масштабируемой памяти (например, HBF), которую Sandisk активно использует в качестве альтернативы традиционным ограничениям масштабирования DRAM. Пока Sandisk и Western Digital готовятся к разделению, оба бренда, которые технически все еще являются Western Digital Corp., на прошлой неделе провели Дни инвестора, где раскрыли ряд неожиданных вещей. Мы уже рассказывали о флэш-памяти с высокой пропускной способностью от Sandisk и технологии магнитной записи с тепловой точкой (HDMR).
Оригинал
Уникальность
