Литографические EUV-сканеры с высокой числовой апертурой (High-NA) активно обсуждаются в контексте производства интегральных схем, тогда как для чипов памяти их использование считается менее критичным.
Тем не менее, компании постепенно внедряют новое оборудование. Так, SK hynix установила первый сканер ASML TwinScan EXE:5200B на заводе M16 в Ичхоне, Южная Корея. По данным производителя, система позволит уменьшить размер транзисторов в 1,7 раза и увеличить их плотность на 2,9 раза по сравнению с предыдущими EUV-сканерами. Хотя компания начала использовать EUV-оборудование в 2021 году, сроки массового внедрения High-NA сканеров пока не уточняются. Числовая апертура при переходе на новое поколение оборудования вырастет с 0,33 до 0,55.
Конкурент Samsung Electronics также внедряет EUV-оборудование: сканер ASML TwinScan EXE:5000 был установлен на заводе в Хвасоне в марте. Эта модель уступает SK hynix по характеристикам и в основном используется для исследований и тестирования. Для Samsung High-NA EUV важен при контрактном производстве чипов, и компания планирует выпуск 1,4-нм продукции к 2027 году.
Однако решение о применении сканеров нового поколения для массового производства памяти пока не принято, внедрение будет постепенным.
Источник
Уникальность
