Maxwell Labs, стартап, разрабатывающий инновационную технологию охлаждения с использованием лазеров и полупроводников из арсенида галлия (GaAs), получил грант в размере 500 000 долларов в рамках поддерживаемой правительством программы по разработке и демонстрации своего передового решения для охлаждения микросхем.
Эта инициатива является частью совместных усилий исследовательского подразделения армии США, Университета Св. Томаса и Центра энергетических технологий. Финансирование предоставляется в рамках программы «The Basic Energy Science to (BEST) St. Thomas Applied Renewable Technologies (START)», цель которой — ускорить развитие энергетических технологий, отвечающих военным потребностям.
Работа Maxwell сосредоточена на отводе тепла от высокопроизводительных вычислительных систем с помощью твердотельной платформы, основанной на сверхчистых полупроводниках GaAs и лазерах. Эта технология позволяет отводить тепло из горячих точек процессоров, чего не могут сделать традиционные охладители. В результате процессоры для ИИ и HPC могут продолжать повышать свою производительность и энергопотребление. Однако есть один нюанс: технология Максвелла еще не готова к массовому внедрению.
Согласно условиям соглашения, Максвелл будет сотрудничать с Университетом Св. Томаса и использовать современные лаборатории, такие как Центр передовых производственных технологий и Центр исследований микросетей. Партнерство также позволит студентам инженерных специальностей участвовать в прикладных исследованиях, связанных с волоконными лазерами, оптическим охлаждением и системным анализом на основе моделирования. Работы по разработке будут сначала сосредоточены на создании прототипа кластера GPU, в котором будет использоваться система охлаждения на основе полупроводников GaAs и лазеров.
Метод охлаждения Maxwell использует сверхчистые полупроводники GaAs, действующие как холодные пластины, которые охлаждаются при попадании лазерного света определенной длины волны, используя высокую подвижность электронов GaAs для отвода тепла из точных горячих точек чипа. Тонкие компоненты GaAs размещаются на зонах, генерирующих тепло, с микроскопическими структурами, направляющими лазер для локального охлаждения, что делает этот подход дополнением к традиционным системам охлаждения.
Однако эта технология сталкивается со значительными барьерами в плане затрат и производства. Для производства слоев GaAs без дефектов требуются энергоемкие методы, такие как молекулярно-лучевая эпитаксия или MOCVD, что означает, что 200-мм пластина GaAs стоит около 5000 долларов — по сравнению с 5 долларами за кремний. Кроме того, GaAs не может быть напрямую интегрирован в кремниевые чипы, поэтому интеграция зависит от дорогостоящих технологий, таких как 3D-укладка или склеивание пластин, которые используются в кремниевой фотонике.
Maxwell Labs считает, что ее технология может быть применена как в гражданских, так и в оборонных целях. Список гражданских применений включает кластеры искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений, а также системы высокочастотной торговли. Что касается оборонных применений, то они включают приложения для пограничных вычислений, передовые датчики, аэрокосмические и космические устройства.
«Мы рады стратегическому сотрудничеству с Университетом Св. Томаса, Армейской исследовательской лабораторией DEVCOM и ETC, а также возможности использовать ресурсы и опыт, доступные в рамках программы BEST START», — сказал Майк Карпе, соучредитель и директор по развитию Maxwell Labs. «Этот контракт и сотрудничество будут играть важную роль в ускорении разработки и реальной валидации нашей системы лазерного охлаждения, приблизив нас к коммерциализации технологии лазерного охлаждения Maxwell Gen1 в промышленных масштабах».
Оригинал
Уникальность
