Несколько дней назад Huawei продемонстрировала свой первый в истории SoC для смартфонов класса 5 нм, произведённый на узле N3 компании SMIC. Kirin 9030 питает новейшую линейку Mate80 от Huawei. Теперь, похоже, Huawei близка к следующему прорыву: 2 нм. Исследователь полупроводников доктор Фредерик Чен обнаружил патент Huawei от 2022 года, но опубликованный только недавно; он ещё ожидает одобрения.
Патент обсуждает использование существующей инфраструктуры DUV для достижения 21-нм шага металлических линий, что сделает его эквивалентным предложениям 2 нм от TSMC и других. В нормальных условиях DUV-лазеру потребовалось бы несколько экспозиций, но Huawei придумала, как сократить их до четырёх с помощью SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning).
Понимаемо, что вокруг коммерческой жизнеспособности такого начинания существует некоторая скептицизм. Для начала, выход годных чипов был бы слишком низким, чтобы быть коммерчески выгодным. Даже если он окажется приемлемым, он ни в какое сравнение не пойдёт с решениями на базе EUV.
Ранний отчёт утверждал, что Китай работает над отечественными инструментами EUV и узлом 3 нм с полупроводниками на основе углеродных нанотрубок. Недавно из этого не появилось много информации. Даже если это удастся, официальное раскрытие не произойдёт в ближайшее время из-за секретного подхода Китая к своим достижениям в производстве чипов.
Оригинал
Уникальность
