Американский гигант по производству микросхем Intel заключил партнерское соглашение с японской технологической и инвестиционной компанией SoftBank с целью создания многослойной DRAM-памяти, которая заменит HBM. По данным Nikkei Asia, эти два гиганта отрасли создали компанию Saimemory для разработки прототипа на основе технологий Intel и патентов японских научных учреждений, в том числе Токийского университета.
Компания планирует завершить разработку прототипа и провести оценку возможности массового производства к 2027 году, а конечной целью является коммерциализация до конца десятилетия. Большинство процессоров искусственного интеллекта используют HBM или микросхемы памяти с высокой пропускной способностью, которые идеально подходят для временного хранения огромных объемов данных, обрабатываемых графическими процессорами искусственного интеллекта.
Однако эти интегральные схемы сложны в производстве и относительно дороги. Кроме того, они довольно быстро нагреваются и требуют относительно большего количества энергии. Партнерство направлено на решение этой проблемы путем штабелирования микросхем DRAM и поиска способа более эффективного их соединения. Благодаря этому энергопотребление штабелированных микросхем DRAM сокращается вдвое по сравнению с аналогичными микросхемами HBM. В случае успеха SoftBank заявляет, что хочет получить приоритет на поставку этих микросхем.
В настоящее время только три компании производят новейшие микросхемы HBM: Samsung, SK hynix и Micron. Неутолимый спрос на чипы для искусственного интеллекта означает, что HBM может быть трудно достать, поэтому Saimemory стремится занять рынок с помощью своего заменителя, по крайней мере для японских центров обработки данных. Это также будет первый случай, когда Япония стремится стать крупным поставщиком микросхем памяти за более чем 20 лет. Японские компании доминировали на рынке в 1980-х годах, когда они производили около 70% мирового объема поставок. Однако рост конкурентов из Южной Кореи и Тайваня вытеснил многих производителей микросхем памяти с рынка.
Это не первый случай, когда компания-производитель полупроводников экспериментирует с 3D-слойной DRAM. Samsung уже в прошлом году объявила о планах по созданию 3D-слойной DRAM, а другая компания, NEO Semiconductor, также работает над 3D X-DRAM. Однако эти компании сосредоточены на увеличении емкости каждого чипа, а модули памяти должны иметь емкость 512 ГБ. С другой стороны, Saimemory стремится к снижению энергопотребления — что крайне необходимо для центров обработки данных, особенно с учетом ежегодного роста энергопотребления искусственного интеллекта.
Оригинал
Уникальность
