Компания Intel объявила, что уже во второй половине этого года она намерена начать выпускать процессоры Cannonlake, выполненные по передовому 10-нм техпроцессу. Новые чипы будут комплектоваться 100,8 миллиона транзисторов на квадратный миллиметр. Для достижения такого результата компания использовала новую методику подсчёта транзисторов на кристалле. Intel считает, что измерение физических расстояний между затворами и контактами металлизации не соответствует тому, как стоит описывать новые техпроцессы. Например, в новом чипе Intel, выполненном по 10-нм техпроцессу FinFET, расстояние между затворами составляет всего 54 нм.
В своих подсчётах Intel использует показатель плотности маленькой и большой логической ячейки. Компания использует ячейку с двумя входами NAND с двумя активными затворами и ячейку сканирования триггера с 25 активными затворами. При этом элементы NAND учитываются с весовым коэффициентом 0,6, а триггеры - с 0,4.
Как и в случае с 14-нм техпроцессом, Intel намерена продолжить трехлетнюю тенденцию смены техпроцесса. Таким образом, в 2018 и 2019 году будут представлены обновлённые техпроцессы 10+ и 10++ соответственно.
Intel также озвучила подробные технические характеристики нового 10-нм техпроцесса: шаг рёбер FinFET - 34 нм, высота рёбер FinFET - 53 нм, шаг металлизации - 36 нм, шаг затворов - 54 нм, высота ячейки - 272 нм.
Кроме этого, Intel анонсировала энергоэффективный 22-нм техпроцесс с транзисторами FinFET.
Источник.
