Сногсшибательный прорыв в мире технологий памяти! SanDisk и SK hynix, два титана индустрии, объявили о подписании меморандума о взаимопонимании, который может перевернуть представление об инфраструктуре памяти для искусственного интеллекта! Их амбициозная цель — стандартизация революционной технологии «High Bandwidth Flash» (HBF), основанной на NAND-флэш и интегрированной в стек HBM.
Это не просто шаг вперед — это смелый рывок в будущее, где высокая пропускная способность DRAM и огромная емкость NAND сливаются в единый, мощный гибрид, способный радикально трансформировать обработку данных в масштабных системах ИИ!В отличие от традиционной HBM, опирающейся исключительно на DRAM, HBF дерзко заменяет часть стека энергонезависимой NAND-памятью, жертвуя минимальной задержкой ради ошеломляющей емкости — в 8–16 раз больше, чем у DRAM-based HBM, при сопоставимых затратах и сохранении высокой пропускной способности!
Более того, энергонезависимость NAND обеспечивает постоянное хранение данных с минимальными энергозатратами, что становится критически важным в эпоху энергоемких ИИ-вычислений. Гипермасштабируемые компании, чьи облачные инфраструктуры уже сталкиваются с пределами охлаждения, получают шанс переосмыслить инференцию на периферии, минимизируя энергопотребление и затраты.Этот прорыв перекликается с идеями, изложенными в эпохальной работе «LLM in a Flash», где большие языковые модели эффективно использовали SSD как дополнительный уровень памяти, снимая нагрузку с DRAM. SanDisk и SK hynix идут дальше, создавая новый класс памяти, который объединяет колоссальную емкость NAND с интерфейсами, вдохновленными HBM, обещающими поддержку инференции крупных моделей без бремени дорогостоящего охлаждения и громоздких HBM-стеков.
Индустрия уже бурлит от подобных инноваций! Samsung представила PBSSD для ИИ на основе флэш-памяти и работает над HBM4 с интеграцией логических чипов, а Nvidia в своих планах по GPU Rubin и Vera продолжает полагаться на HBM, но HBF может стать ключом к масштабированию памяти без экспоненциального роста затрат. Прототип HBF от SanDisk, представленный на Flash Memory Summit 2025, основанный на передовых технологиях BiCS NAND и CBA wafer bonding, уже завоевал награду «Самая инновационная технология»!
Более того, создание Технического консультативного совета с участием экспертов из разных компаний подчеркивает стремление сделать HBF отраслевым стандартом, а не просто проприетарным решением.Образцы HBF появятся во второй половине 2026 года, а первые устройства с этой технологией для ИИ ожидаются уже в 2027 году! Учитывая тесные связи SK hynix с Nvidia и другими лидерами ИИ, а также участие таких визионеров, как Раджа Кодури, консультирующего SanDisk по HBF для AI GPU, эта технология может стать катализатором для гетерогенных стеков памяти, где DRAM, NAND и, возможно, новые виды энергонезависимой памяти будут работать в гармонии.
Это не просто эволюция — это революция, которая даст гипермасштабируемым компаниям альтернативу дорогим HBM-решениям и откроет путь к моделям ИИ следующего поколения, преодолевающим барьеры памяти!SanDisk, опираясь на свой опыт и партнерство с Kioxia, изобретателем NAND, уже демонстрирует уверенность в этой области. Хотя связь HBF с их совместной разработкой BiCS9 остается загадкой, одно ясно: этот альянс с SK hynix — это смелый шаг в будущее, где память для ИИ станет более емкой, энергоэффективной и доступной. Мы стоим на пороге новой эры вычислений, и HBF может стать ее краеугольным камнем!
Оригинал
Уникальность
