Учитывая то, как интенсивно используется SRAM в современных конструкциях, размер и плотность ячеек SRAM являются основными характеристиками новых технологий производства. По данным ISSCC 2025 Advance Program, плотность SRAM в производственном процессе Intel 18A (класс 1,8 нм) значительно ниже, чем в TSMC N2 (класс 2 нм), и ближе к TSMC N3. Тем не менее, у 18A Intel могут быть и другие значительные преимущества перед N2.
В техпроцессе Intel 18A размер ячейки SRAM высокой плотности составляет 0,021 мкм 2 (таким образом достигается плотность SRAM около 31,8 Мб/мм 2), что является значительным улучшением по сравнению с размером ячейки SRAM высокой плотности 0,024 мкм 2 в Intel 4, но соответствует тому, что предлагают TSMC N3E и N5. В отличие от этого, технология производства N2 компании TSMC уменьшает размер ячейки HD SRAM до 0,0175 мкм 2, обеспечивая плотность SRAM 38 Мб/мм 2.
И в технологии 18A, и в технологии N2 используются транзисторы с обходным затвором (GAA), но, в отличие от Intel, TSMC удалось довольно сильно уменьшить размер ячейки SRAM высокой плотности по сравнению с технологиями предыдущего поколения, использующими транзисторы FinFET. Следует отметить, что помимо размера ячейки SRAM, ключевой характеристикой SRAM является энергопотребление, и мы не знаем, как 18A и N2 соотносятся друг с другом по этому параметру.
Если говорить о 18A от Intel, то у этого узла есть два основных преимущества перед предшественниками: транзисторы GAA и сеть передачи питания по задней стенке (BSPDN). BSPDN не только обещает улучшить доставку энергии к транзисторам, тем самым повышая эффективность работы некоторых конструкций, но и позволяет разработчикам сделать их меньше, тем самым увеличивая плотность.
Хотя в современных чипах используется много SRAM, и ее плотность имеет решающее значение для масштабирования от узла к узлу, плотность логики важнее плотности HDC SRAM. Пока мы не можем сравнить этот показатель для 18A от Intel и N2 от TSMC. Кроме того, плотность трудно оценить, поскольку в каждом техпроцессе есть библиотеки с высокой плотностью, высокой производительностью и низким энергопотреблением, которые обычно смешиваются и сочетаются в рамках одного дизайна. Что касается плотности логики для абстрактного процессора, то Intel и TSMC пока не раскрывают ее.
Одной из наиболее трудно масштабируемых вещей в современных технологических процессах является плотность SRAM из-за тонкостей ее конструкции, эксплуатационных требований к стабильности и надежности, а также повышенной вариативности на меньших узлах. Поэтому неудивительно, что в некоторых современных технологиях размеры ячеек SRAM могут быть больше, чем в других производственных узлах.
Оригинал
Уникальность
